高频电感元件的等效电路模型

　　当考虑电感元件寄生电容时，高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中Rc，为磁心损耗的等效电阻，C为电感绕组的寄生电容，Rac为代表绕组铜损的交流电阻，由于绕组铜线高频电流的集肤效应（在后面介绍），使Rac>Rdc，R_dc为铜线的直流电阻。Rac/Rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如，圆铜线在20℃，f_s＝100 kHz时，R_ac/R_dc＝1.7。              

　　为使集肤效应的影响减小，导线的直径应不大于2△，△为渗透深度（Penetraticn depth）（cm）。

　　△值与温度有关，100℃时铜电阻率ρ＝2.3×1o^-6Ω·cm，μ。为空气磁导率，fs为电流频率，表6-3为计算所得的几个典型频率的△值。

表6－3 典型频率时的△值

　　图1 高频电感元件的等效电路模型

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